據(jù)美國軍事與航空電子網(wǎng)站2013年4月8日報道] 美國IBM公司的微電子專家在電子熱管理研究項目中將對流或蒸發(fā)式微流體冷卻方法直接融入微芯片設(shè)計和封裝中。
4月4日，IBM公司獲得美國國防先期研究計劃局（DARPA）價值500萬美元的芯片內(nèi)/芯片間增強冷卻（ICECool）基礎(chǔ)項目，此乃DARPA ICECool項目的第一步。IBM公司將開發(fā)芯片內(nèi)和芯片間蒸發(fā)微流體冷卻的基本構(gòu)件。IBM微電子熱管理專家將為軍用電子器件探索創(chuàng)新的熱管理技術(shù)，以幫助設(shè)計者減少器件尺寸、重量和功耗(SWaP)。
DARPA請求IBM尋找將冷卻技術(shù)植入芯片內(nèi)部的方法，從而縮小軍用計算機、RF收發(fā)器和固體激光器的芯片與芯片冷卻技術(shù)之間的鴻溝。目前，IBM研究者負(fù)責(zé)DARPA ICECool項目的第一階段，旨在開發(fā)芯片內(nèi)置液體冷卻基本構(gòu)件。DARPA已經(jīng)于今年2月發(fā)布ICECool項目第二階段正式征詢意見書。意見書尋求驗證用于高性能嵌入式計算(HPEC)、RF單片微波集成電路(MMIC)的先進電子冷卻技術(shù)，采用直接嵌入電子器件和封裝內(nèi)的對流或蒸發(fā)式微流體冷卻方式。在DARPA ICECool項目的第一階段，IBM試圖減少軍用電子器件的冷卻局限，通過將熱管理技術(shù)集成到芯片布局、襯底結(jié)構(gòu)和封裝設(shè)計中，不僅縮小芯片冷卻設(shè)備體積，而且增強整體器件性能。IBM將試圖驗證芯片級熱排除超過1kW/cm2熱流量，以及1kW/cm3熱密度，采用局部亞毫米熱斑點控制，消除超過5kW/cm2的熱流量。IBM將用2-3年時間開發(fā)微制造技術(shù)以實現(xiàn)在幾個微通道半導(dǎo)體芯片間的熱互連和蒸汽微流控技術(shù)。DARPA 將同IBM一道模擬在芯片內(nèi)部或3D芯片堆疊之間微通道回路間的蒸汽流芯片內(nèi)冷卻技術(shù)。